Боцула Олег Викторович

Автор: · Дата: 29 Январь 2010 · Пока нет комментариев

кандидат физико – математических  наук,  старший научный сотрудник

 

В 1989 году после окончания средней школы поступил на радиофизический факультет Харьковского государственного университета им. А.М. Горького. Увлечение радиолектроникой  определяют дальнейший выбор специализации – полупроводниковая и вакуумная электроника. В 1993 году закончил Харьковский госуниверситет и поступил в аспирантуру Харьковского государственного университета.

С 1993 года зачислен на дожность младшего научного сотрудника кафедры полупроводниковой и вакуумной электроники.  Работал научным сотрудником, старшим научным сотрудником ( с2005 г). С 2007 года  — старший  научный сотрудник  кафедры физической и биомедицинской электроники и комплексных информационных технологий.

В 2008 году  защитил кандидасткую диссертацию  «Нестойчивости тока в GaAs с ударной ионизацией  и  туннельными эффектами».

Читает курсы по физико–технологическим основам микроэлектроники и наноэлектронике. Руководит выполнением бакалаврских и магистерских работ, преддипломной практикой студентов старших курсов.

Основные направления научных интересов: физика полупроводников,  наноэлектроника, твердотельные приборы мм- и субмм-диапазонов.

Научные результаты опубликованы в более чем в 60 научных работах и тезисах докладов в материалах международных и отечественных симпозиумов и конференций, 1  патенте.

Основные научные публикации:

1. Tunnel n+-D-n+ chatode for Gunn diodes / Botsula O. V., Prokhorov E. D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2002. – V. 58. –  № 7–8. –  P. 107–114.

 

2. Special features of o joint operation of the resonant-tunnel diode and Gunn diode / Prokhorov E. D, Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2002. –V. 58. –  № 7–8. –  P. 99–106.

 

3. Joint operation of two-level resonant tunneling and Gunn diodes / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. – 2003. – V. 60. – № 5-6. – P. 140–147.

 

4. Impedance characteristics of diodes oherationsjointly and having negative differential conductivy / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. – 2004. – V. 61. –  № 6. – P. 529–542.

 

5. Two level resonant-tunneling diodes with tunneling anodes / Prokhorov E. D, Botsula O. V.  // Telecommunication and Radio Engenееring . – 2005. – V. 63. – № 10. – P. 140–147.

 

6. Resonant-Tunneling Cathode for a Gunn Diode / Botsula O. V., Storozhenko I. Р., Prokhorov E. D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2009. –  V. 68. – Iss 15. – P. 385–398.

 

7. Negative differential conductivity of a tunnel side-bondary semiconductor device / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. –2011. – V. 70. – Iss 9. – P. 809–818.

Популярность: 26%

Рубрика: Сотрудники ·  



Оставить комментарий или два

Пожалуйста, зарегистрируйтесь для комментирования.