Прохоров Эдуард Дмитриевич

Автор: · Дата: 29 Январь 2010 · Пока нет комментариев

 

Прохоров Эдуард Дмитриевич

Доктор физико-математических наук, профессор.

Организатор и заведующий кафедрой с 1974 по 2006 год.

Академик АН ВШ Украины, академик АН ВО Украины.

Профессор кафедры физической и биомедицинской электроники и комплексных информационных технологий, доктор физико-математических наук, заслуженный научный сотрудник ХНУ имени В.Н.Каразина, лауреат Нагороды имени Ярослава Мудрого АН ВШ Украины за значительные достижения в области науки и техники.

1937 г.р.
Закончил радиофизический факультет Харьковского государственного университета имени А.М.Горького в 1959 году. Кандидатскую диссертацию защитил в1967 г., докторскую диссертацию «Поиск и исследованние возможностей повышения эффективности генерации диодов Ганна» защитил в1978 году. Работал ассистентом, ст. преподавателем, доцентом, профессором, заведующим кафедры полупроводниковой и вакуумной электроники (1974-2006 гг.), профессором кафедры физической и биомедицинской электроники и комплексных информационных технологий (с2007 г.).

Профессор Прохоров Э.Д. на протяжении многих лет читает курсы по физике полупроводников, твердотельной электронике, физике и электронике полупроводниковых приборов, квантово-размерным эффектам в полупроводниках для студентов радиофизического факультета. Руководит выполнением бакалаврских и магистерских работ, преддипломной практикой студентов старших курсов. По читаемым курсам издал 10 учебных пособий по твердотельной электронике, рекомендованных МОН Украины:

1. Твердотельная электроника (лекции) ч.1, Харьков, ХМАПП, 1991, 112с.

2. Твердотельная электроника (лекции) ч.2, Харьков, ХАПП,1993,104с.

3. Задачи по твердотельной электронике, Харьков, изд. ПРОМПРОЭКТ, 2005, 144 с.

4. Задачі з твердотілої електроніки, Харків, ізд.ХНУ, 2005, 148 с.

5. Квантово-размерные эффекты в твердотельных сверхвысокочастотных приборах, Харьков, изд. ХНУ,  2005, 220 с.

6. Квантово-розмірні ефекти у твердотілих надвисокочастотних приладах, Харків, ізд. ХНУ, 2005, 208 с.

7. Практикум по твердотельной электронике, Харьков, изд. ХНУ, 2007. – 396 с.

8. Практикум з твердотілої електроніки, Харків, ізд. ХНУ, — 2007.– 396 с.

9. Твердотіла електроніка, Харків, ізд. ХНУ, — 2007. — 544с.

10. Твердотельная электроника, Харьков, изд.ХНУ, — 2008. – 544 с.

За многие годы научно-педагогической деятельности Э.Д.Прохоров  подготовил сотни специалистов в обпасти радиофизики и электроники, подготовил 3-х докторов и 12 кандидатов физико-математических наук.

Под руководством Прохорова Э. Д. кафедра полупроводниковой и вакуумной электроники стала ведущим центром исследований по твердотельной электронике, микроэлектроники и наноэлектронике в Украине.

Основные направления научных интересов: физика полупроводников, твердотельная электроника, наноэлектроника, междолинный перенос электронов в полупроводниках, генераторы мм- и субмм-диапазонов. Научные результаты опубликованы в более чем в 400 научных работах, 10 авторских свидетельствах и патентах, тезисах докладов в материалах международных и отечественных симпозиумов и конференций, 3 монографиях:

     1. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет, М, Советское радио,1973, 464с

     2. Полупроводниковые материалы для приборов с междолинным переносом электронов, Харьков, Вища школа, 1982, 144с

     3. Измерения на миллиметровых и субмиллиметровых волнах. Методы и техника. — М, Радио и связь, 1984, 296с.

 

Основные результаты:

 

1. Впервые выявлены перспективные соединения полупроводников А3В5 для приборов с междолинным переносом электронов по эффективности генерации и частотному диапазону работы (27 соединений). Исследован ряд этих соединений на основе решения кинетического уравнения Больцмана, которое учитывало воздействие на электроны в материале внешнего электрического поля и все известные механизмы столкновения электронов в кристалле.

 

2. Впервые показано влияние ударной ионизации на физические процессы в приборах с междолинным переносом электронов, установлены закономерности развития ударной ионизации в диодах с МПЭ на основе полупроводников А3В5 и их соединений. Построена теория движения домена с учётом ударной ионизации. Показана возможность генерации на гармониках за счёт ударной ионизации в диодах с МПЭ на основе GaAs, InP, нитридов и тройных соединений полупроводников А3В5.

 

3.. Теоретически и зкспериментально показана возможность формирования в диодах с МПЭ катодного статического домена с напряжённостью электрического поля, достаточной для развития ударной ионизации зона-зона. Определены необходимые для этого условия по концентрации и толщине прикатодной области  в GaAs, InP, нитридах и тройных соединениях полупроводников А3В5. Показано, что диоды с катодным статическим доменом в зависимости от параметров рабочей области могут работать в широком диапазоне частот см- и мм-диапазонов вплоть до 150 ГГц с уровнем СПМШ 105–103 kT0.

 

4. На основе решения кинетического уравнения Больцмана совместно с уравнением Пуассона смоделированы электронные процессы  в коротких стуктурах с междолинным переносом электронов с различными катодными и анодными контактами, разными профилями легирования активной области, гетерокатодами и варизонными структурами в широком диапазоне частот мм- и субмм-диапазонов.. Показана возможность расширения частотных возможностей диодов с междолинным переносом электронов при использовании их в качестве нелинейных элементов умножителей частоты, что позволяет расширить частотный диапазон работы диодов до 1000 ГГц.

 

5. Выявлены новые эффекты, связанные с модуляцией проводимости, индуцированным каналом и туннельной инжекцией электронов.

 

6. Исследованы структуры с отрицательной дифференциальной проводимостью и резонанасным туннелированием, что позволило выявить новые режимы работы диодов с междолинным переносом электронов и диодов с резонансным туннелированием.

 

7. Определены с помощью многочастичного метода  Монте-Карло  эффективности генерации и частотные пределы диодов на основе нитридов (AlN, GaN, InN) в режиме однородного поля и для диодов конечной длины от 1 мкм до 0.1 мкм. Определены частотные пределы генерации для тройных соединений нитридов.

 

8.. Исследованы структуры, в которых перенос носителей осуществляется не только между катодом и анодом, но и на боковие границы, которые представляют собой туннельный, резонансно-туннельный или триодно-туннельный контакт и которые обладают участком отрицательной дифференциальной проводимости. Определены  импедансные, частотне и энергетические характеристики таких диодов в мм- и субмм-диапазонах в «сэндвич»  и планарной структурах.

 

Основне научные публикации:

 

1. Оценка влияния ударной ионизации внутри электрического домена на устойчивость работы и ширину ВАХ диодов Ганна, / Прохоров Э.Д., Шалаев В.А. Белецкий Н.И.. Арендарь В.Н., // Радиотехника и электроника , 1970, N 3, 578-585

 

2. О возможности увеличения частотного предела работы диодов Ганна / Прохоров Э. Д., Белецкий Н. И., Дядченко А. В. // Радиотехника и электроника. –1972. – № 5. – С. 1103–1106

 

3.. Зависимость скорости дрейфа от электрического поля в GaAs с учетом рассеяния на ионизированных и нейтральных примесях / Прохоров Э. Д., Белецкий Н. И. // Радиотехника  и электроника. – 1973. – № 9. – С. 1903–1912.

 

4. Генерация СВЧ-шума диодом Ганна с катодным статическим доменом / Прохоров Э. Д., Скоробогатова С. Н., Золотарев Е. С. // Радиотехника и электроника. – 1976. – № 8. – С. 1732–1740.

 

5. .Перспективные соединения полупроводников  А3В5 для диодов Ганна, зависимости V-E / Прохоров Э. Д. // Радиотехника и электроника. – 1978. – № 3. –С. 591–600.

 

6. Перспективные соединения  полупроводников  А3В5 для  диодов Ганна, частотные свойства / Прохоров Э. Д. // Радиотехника и электроника. – 1978. – № 4. – С. 811–817.

 

7. Исследование эффекта увеличения fmax диодов Ганна / Прохоров Э. Д., Дядченко А. В. // Радиотехника и электроника. – 1983. – № 5. – C. 1016–1018.

 

8. . Влияние формы напряжения на энергетические характеристики коротких диодов Ганна / Аркуша Ю. В., Дрогаченко А. А., Прохоров Э. Д. // Радиотехника и электроника. – 1987. – № 9. – C. 1947–1954

 

9. Умножители частоты на коротких диодах Ганна с различными типами катодных контактов / Прохоров Э. Д., Санин С. И. // Доклады НАН Украины. Серия. «Физика». – 1996. – №  5. – C. 77–80.

 

10. Analysis of stochastic current oscillasion in GaAs:Cr based diodes / Botsula O. V., Prokhorov E. D.// Telecommunication and Radio Engineering. – 1998. – V. 52. – № 1. – P. 90–96.

 

11. Effect of the electrophysical parameters on Gunn diodes on the operation of frequence vultiplieres / Prokhorov E. D., Sanin S. I. // Telecommunication and Radio Engineering. – 1998. – V. 52. –  № 1. – P. 87–99.

 

12. Влияние антизапорного гетерокатода  на энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна мм-диапазона / Аркуша Ю. В., Прохоров Э. Д., Стороженко И. П. // Радиотехника и электроника. – 2000. – № 5. – С. 628–631.

 

13. Tunnel n+-D-n+ chatode for Gunn diodes / Botsula O. V., Prokhorov E. D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2002. – V. 58. –  № 7–8. –  P. 107–114.

 

14. Special features of o joint operation of the resonant-tunnel diode and Gunn diode / Prokhorov E. D, Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2002. –V. 58. –  № 7–8. –  P. 99–106.

 

15. Joint operation of two-level resonant tunneling and Gunn diodes / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. – 2003. – V. 60. – № 5-6. – P. 140–147.

 

16. Impedance characteristics of diodes oherationsjointly and having negative differential conductivy / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. – 2004. – V. 61. –  № 6. – P. 529–542.

 

17. Two level resonant-tunneling diodes with tunneling anodes / Prokhorov E. D, Botsula O. V.  // Telecommunication and Radio Engenееring . – 2005. – V. 63. – № 10. – P. 140–147.

 

18. Width of Current-Voltage Characteristics of AlxGa1-XN Gunn Diodes / Pavlenko D. V., Prokhorov E. D.  // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2006. –V. 66. – Iss 13. – P. 1197–1204.

 

19. Resonant-Tunneling Cathode for a Gunn Diode / Botsula O. V., Storozhenko I. Р., Prokhorov E. D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2009. –  V. 68. – Iss 15. – P. 385–398.

 

20. Harmonic generation and frequency multiplication caused by the  impuct ionization in GaN-diodes / Botsula O. V., Pavlenko D. V., Prokhorov E.D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2010. – V. 69. – Iss 15. – P. 1391–1400.

 

21. Negative differential conductivity of a tunnel side-bondary semiconductor device / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. –2011. – V. 70. – Iss 9. – P. 809–818.

 

22. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. // Доклады НАН Украины. Серия  «Физика». – 2012. –  № 5. – С. 75–80

 

23. Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами / Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. // Радиофизика и электроника, – 2012. – T. 17. – № 3. – С. 73–77.

Популярность: 32%

Рубрика: Сотрудники ·  



Оставить комментарий или два

Пожалуйста, зарегистрируйтесь для комментирования.