Модель диода Ганна

Автор: · Дата: 16 Февраль 2012 · Пока нет комментариев

Программа моделирования работы диода Ганна

в одномерном приближении

Была написана нашим сотрудником Павленко Дмитрием для в 2002 году для бакалаврской работы.

Демонстрирует “вживую”  пролетный режим диода Ганна, процессы формирования доменной неустойчивости, влияния профиля легирования, некоторых параметров полупроводникового материала и т. п. Применимость данной модели: напряженность поля не должна превышать 100 кВ/см, а длина образца – не менее 5 мкм (для арсенида галлия с концентрацией доноров порядка 1014 см-3).  Приближение одномерное, модель локально-полевая (система уравнений Пуассона и непрерывности для электронов), дискретизация по трехточечному шаблону, схема неявная, решение методом прогонок (читайте Самарского и Тихонова). В основе программы лежат исследования Прохорова Э.Д. и Боцулы О.В.

Скачать программу с открытым исходным кодом

Популярность: 33%

Рубрика: Наші розробки · Запись имеет метки: , ,  



Оставить комментарий или два

Пожалуйста, зарегистрируйтесь для комментирования.