Електроніка напівпровідникових приладів

Автор: · Дата: 3 Декабрь 2012 · Пока нет комментариев

Міністерство освіти і науки України

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна

Кафедра фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 “ЗАТВЕРДЖУЮ

Перший проректор

Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна

проф. Александров  В. В.

      __________________________

“______”_______________2012 р.

 

РОБОЧА ПРОГРАМА НАВЧАЛЬНОЇ ДИСЦИПЛІНИ

 

  “ Електроніка напівпровідникових приладів”

(шифр і назва навчальної дисципліни)

напряму підготовки_____________6.040204 прикладна  фізика______________

(шифр і назва напряму підготовки)

для спеціальності ________________7.04020402  Радіофізика і електроніка ____

(шифр і назва спеціальності (тей)

спеціалізації_____________________________________________________________

(назва спеціалізації)

факультету _____________________радіофізичного______________________

 (назва факультету)

 

Кредитно-модульна система

організації навчального процесу

 

Харків – 2012

 

 

Електроніка напівпровідникових приладів

 Робоча програма навчальної дисципліни для студентів

(назва навчальної дисципліни)

за напрямом підготовки 6.040204– прикладна фізика, спеціальністю 7.04020402   радіофізика  і електроніка „___” ________, 200__.- __ с.

 

Розробники: Шеховоцов Микола Олексійович, к. ф.-м. н., доцент кафедри фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 

Робоча програма затверджена на засіданні кафедри кафедри  фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 

 

Протокол № _7_ від.  “_7__”_ травня_____2012 р.

 

Завідувач кафедрою ________________________

 

_______________________ (__Катрич. В.О.__)

(підпис)                                                   (прізвище та ініціали)

“_____”___________________ 20___ р

 

Схвалено методичною комісією

_______________________________________________________________

Протокол № ___ від.  “____”________________20___ р.

 

“_____”________________20__ р. Голова     _______________( Черногор Л.Ф.)

(підпис)                                   (прізвище та ініціали)

&

 

1.     Опис навчальної дисципліни

 

Найменування показників

Галузь знань, напрям підготовки, освітньо-кваліфікаційний рівень

Характеристика навчальної дисципліни

денна форма навчання

заочна форма навчання

Кількість кредитів  –2

Галузь знань

_0402 фізико-  математичні науки

(шифр і назва)

Дисципліна циклу професійної підготовки

 

Напрям підготовки

6.040204  – прикладна фізика

Модулів – 2 Спеціальність (професійне

спрямування):

________8.04020402 радіофізика та електроніка)

Рік підготовки:

4-й

Індивідуальне науково-дослідне завдання ___________

(назва)

Семестр

Загальна кількість годин – 72

7-й

Лекції

Тижневих годин для денної форми навчання:

аудиторних – 2

самостійної роботи студента — 1

Освітньо-кваліфікаційний рівень:

Бакалавр

36 год.

 год.

Практичні, семінарські

 год.

 год.

Лабораторні

18 год.

 год.

Самостійна робота

18 год.

 год.

ІНДЗ:      год.

Вид контролю: залік

 

Примітка.

Співвідношення кількості годин аудиторних занять до самостійної і індивідуальної роботи становить:

для денної форми навчання —

для заочної форми навчання —

 

  1. 2.     Мета та завдання навчальної дисципліни

Мета вивчення фізичних явищ  в напівпровідниках, на базі яких створені напівпровідникові прилади для вирішення науково- технічних завдань електроніки.

Завдання

формування у студентів наукових  знань про фізичні явища  в напівпровідниках, на базі яких створюються напівпровідникові прилади

знати:

— фізичні явища, на базі яких створені прилади напівпровідникої електроніки;

—  основні типи приладів напівпровідникової електроніки, принцип їх дії, характеристики і параметри та методи їх вимірювання;

— основи теорії напівпровідникових приладів;

— основні завдання електроніки, які вирішуються напівпровідниковими приладами;

       вміти:

— вибирати тип напівпровідникового приладу для вирішення науково- технічного завдання;

—  вибирати електричний режим застосування напівпровідникового прилада для вирішення науково- технічного завдання в різних кліматичних та радіаційних умовах;

— рабити теоретичну оцінку оцікуваних результатів застосування напівпровідникових приладів.

 

  1. 3.     Програма навчальної дисципліни

 

Модуль 1. Матеріали і технологічні процеси в  мікроелектроніці

 

Тема 1. Фізичні властивості твердих тіл.

Тема 2. Основи електронної теорії твердих тіл. Метали, діелектрики, напівпровідники.

Тема 3. Статистика електронів в напівпровідниках.

Тема 4. Нерівноважні носії заряда і механізми рекомбінації.

 

Модуль 2. Проектування і технології  виготовлення приладів мікроелектроніки 

Тема 5. Дифузія і дрейф носіїв заряда.

Тема 6. Контакт метал-напівпроводник.

Тема 7. Контакт напівпровідник-напівпровідник. р-n перехід. и переходи.

Тема 8. Біполярний транзистор і типа.

Тема 9. Чотирьохслойні напівпровідникові прилади і типа.

Тема 10. Уіполярні полеві транзистори. Канальний транзистор. МОП транзистор.

4. Структура навчальної дисципліни

Назви модулів і тем

Кількість годин

Денна форма

Заочна форма

Усього

у тому числі

Усього

у тому числі

л

п

лаб

інд

ср

л

п

лаб

інд

ср

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

Модуль 1

Тема 1. 2 2
Тема 2. 6 6
Тема 3. 2 2
Тема 4. 8 6

2

Разом за модулем 1 18 16 2

Модуль 2

Тема 5. 5 4

1

Тема 6. 10 4

4

2

Тема 7. 11 4

4

3

Тема 8. 11 4

4

3

Тема 9. 7 2

3

2

Тема 10. 10 2

3

5

Разом за модулем 2 54

20

 

18

 

16

Усього годин

72 36 18 18

 

 

 

5. Теми семінарських занять

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

Не передбачено

2

6. Теми практичних  занять

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

не  передбачено

2

 

7. Теми лабораторних  занять

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1.

Контакт метал-напівпровідник. Методи вимірювання контактної різниці потенціалів

4

2.

Біполярний() транзистор. Статичні характеристики в схемах з загальними базою, емітером і колектором

4

3.

Залежність коефіцієнта підсилення() транзистора від режиму і частоти вхідного сигналу.

4

4.

Характеристики і параметри канального транзистора

3

5.

Типи і характеристики МОП транзисторів.

3

Усього годин

18

 

8. Самостійна  робота

 

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

 p-n перехід з сталою і зімнною напругами.

Диффузійна ємність p-n перехода.

1

2

Квазірівні  Фермі  p-n переходу при прямому

Вкюченні. Квазірівні Фермі p-n перехода при

зворотному вкюченні.

1

3

p-n-p транзистор з сталою і перемінною напругами.

Рівняння токів емітера , колектора і бази. Спрощена

еквівалентна схема транзистора для низьких частот.

1

4

Узагальнене рішення Р-П-Р транзистора з урахуванням

зміни границі колектора.

1

5

Підготовка до модульних контрольних ( 2 роботи)

4

6

Підготовка до лабораторних робіт  ( 5 лаб. р)

10

Разом

18

 

9. Індивідуальне навчально — дослідне завдання

 

10. Методи навчання

Засвоєння матеріалу по дисципліні забезпечується циклом лекцій та проведенням лабораторних робіт.

11. Методи контролю

По кожному модулю проводиться коротка ( до 15 хв.) письмова контрольна робота, яка оцінюється у відповідних балах. Крім того  студент повинен захистити кожну лабораторну роботу скавши відповідів на певну кількість запитань ( 3- 4  ).

2. Розподіл балів, які отримують студенти

 

                        Поточне тестування та самостійна робота

Сума

Модуль 1 Модуль 2

Т1

Т2

Т3

Т4

Т5

Т6

Т7

Т8

Т9 Т10 100
5-10 5-10

 

5-10

 

5-10 5-10 5-10 5-10 5-10 5-10 5-10
20-40 30-60

 

Т1, Т2 … Т13 – теми модулів

 

Шкала оцінювання

 

Сума балів за всі види навчальної діяльності протягом семестру

Оцінка ECTS

Оцінка за національною шкалою

для екзамену, курсової роботи (проекту), практики

для заліку

90 – 100

А

відмінно

зараховано

80-89

В

добре

70-79

С

60-69

D

задовільно

50-59

Е

1-49

FX

незадовільно

не зараховано

 

                                     

 

13. Методичне забезпечення

 

1. Конспект лекцій

2. Практикум по твердотілій  електроніці.  Х.: ХНУ імені В.Н. Каразіна, 2005.- 220 с.

14. Рекомендована література

Базова

  1. К.В. Шалимова  Физика полупроводников. М: Энергия, 1976
  2. С.М. Рывкин Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М: Гос. Из – во. физ. – мат. лит., 1963
  3. 3.     Г.Е. Пикус Основы  теории полупроводниковых приборов. ГИФЛМЛ. М: Наука, 1965

Допоміжна

  1.  Ф. Блатт Физика электронной проводимости в твердых телах. М:  Мир, 1971.
  2. И.И. Петровский Электронная теория полупроводников, Минск:  Высшая школа, 1964.
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. –т. 1., т.2  М: Мир, 1984.

 

 

 

15. Інформаційні ресурси

1.   http://scholar.google.com.ua/

 

Популярность: 17%

Рубрика: Рабочие программы, Учебный процесс ·  



Оставить комментарий или два

Пожалуйста, зарегистрируйтесь для комментирования.