Елементна база електроніки

Автор: · Дата: 14 Декабрь 2012 · Пока нет комментариев

Міністерство освіти і науки України

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна

Кафедра фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 

ЗАТВЕРДЖУЮ

 

Перший проректор___________________________

“_____”_______________20___ р.

 

РОБОЧА ПРОГРАМА НАВЧАЛЬНОЇ ДИСЦИПЛІНИ

 ЕЛЕМЕНТНА  БАЗА ЕЛЕКТРОНІКИ

(шифр і назва навчальної дисципліни)

напряму підготовки_____________6.050801 – мікро і наноелектроніка______________

(шифр і назва напряму підготовки)

для спеціальності ________________6.05080102Фізична і біомедична електроніка ____

(шифр і назва спеціальності (тей)

спеціалізації_____________________________________________________________

(назва спеціалізації)

факультету _____________________радіофізичного______________________

 (назва факультету)

 

Кредитно-модульна система

організації навчального процесу

 

Харків – 2012

 

 

Елементна база електроніки. Робоча програма навчальної дисципліни для студентів за напрямом підготовки 6.050801 – мікро і наноелектроніка, спеціальністю 6.05080102 “Фізична і біомедична електроніка”.

„___” ________, 2012 —  10 с.

 

Розробник: Стєрвоєдов М.Г., канд. техн. наук, доцент.

 

Робоча програма затверджена на засіданні кафедри фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 

 

Протокол № ___ від.  “____”________________20__ р.

 

Завідувач кафедри  фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 

____________________    (Катрич В.О.)

(підпис)                       (прізвище та ініціали)

“_____”___________________ 20___ р

 

Схвалено методичною комісією кафедри  фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

_______________________________________________________________

Протокол № ___ від.  “____”________________20___ р.

 

“_____”________________20__ р. Голова     _______________                        (  Черногор Л.Ф.)

(підпис)                                           (прізвище та ініціали)

 

1.     Опис навчальної дисципліни

 

Найменування показників

Галузь знань, напрям підготовки, освітньо-кваліфікаційний рівень

Характеристика навчальної дисципліни

денна форма навчання

заочна форма навчання

Кількість кредитів  –2,25

Галузь знань

_0508 електроніка

(шифр і назва)

 за вибором ВНЗ

 

Напрям підготовки

6.050801 – мікро і нано елекроніка___

(шифр і назва)

Модулів – 2 Спеціальність (професійне спрямування):8.05080102 Фізична та біомедична електроніка

 

Рік підготовки:

4 — й

Індивідуальне науково-дослідне завдання ___________(назва)

Семестр

Загальна кількість годин — 81

8 — й

Лекції

Тижневих годин для денної форми навчання:аудиторних – 2

самостійної роботи студента – 2,5

Освітньо-кваліфікаційний рівень:

бакалавр

18 год.

 год.

Практичні, семінарські

18год.

 год.

Лабораторні

год.

 год.

Самостійна робота

45 год.

 год.

ІНДЗ:      год.

Вид контролю: залік

 

Примітка.

Співвідношення кількості годин аудиторних занять до самостійної і індивідуальної роботи становить:

для денної форми навчання – 36/45 = 0,8

для заочної форми навчання —

  1. 2.     Мета та завдання навчальної дисципліни

 

Мета викладання дисципліни » Елементна база електроніки » — дати знання про особливості напівпровідниковій елементній бази, пов’язаній з раціональним вибором електронних приладів та режимів їх роботи в радіоелектронній апаратурі; розвиток навичок самостійного розв’язання задач, пов’язаних з проектуванням та експлуатацією радіоелектронних пристроїв, а також ознайомлення студентів з основами схемотехніки аналогових і цифрових пристроїв що виготовляються за інтегральною технологією,  методами їх аналізу, а також формування у студентів знань і умінь, що дозволяють здійснювати схемотехнічне проектування радіоелектронної апаратури, що забезпечує аналогову і цифрову обробку сигналів. Ці знання і уміння мають не лише самостійне значення, але повинні також забезпечити базу для освоєння інших інженерних дисциплін.

Об’єктом вивчення курсу є дискретні і інтегральні напівпровідникові прилади, що використовуються у радіоелектронних пристроях для функціональних перетворень сигналів.

Предметом вивчення — є фізичні принципи дії напівпровідникових приладів, їх характеристики, основні параметри, особливості, режими роботи, які є основою сучасної елементної бази електроніці, а також — принципи функціонування основних аналогових і цифрових пристроїв, їх базових елементів; — проектування схемотехніки цифрових і аналогових пристроїв, що розробляються у тому числі з урахуванням можливості їх реалізації по інтегральної технології; — методи розрахунків, пов’язані з вибором параметрів і режимів роботи.

Завдання навчальної дисципліни — дати студентам теоретичну та практичну підготовку в області проектування та експлуатації технічних засобів сучасної електронної техніки.

У результаті вивчення даного курсу студент повинен

знати: — принципи функціонування основних дискретних і інтегральних аналогових і цифрових приладів та їх базових елементів;

— особливості схемотехніки аналогових і цифрових пристроїв, що враховують

їх реалізацію за інтегральною технологією;

— основні фізичні закономірності та процеси, що виникають у сучасних

електронних дискретних приладах;

— номенклатуру сучасної напівпровідникової елементної бази;

— параметри та характеристики, основні типи напівпровідникової елемент-

ної бази, маркування, позначення;

— особливості застосування та обмеження при експлуатації приладів;

— вплив режимів роботи та зовнішніх факторів на стабільність параметрів;

— можливі практичні застосування електронних приладів як елементної бази у дискретній та інтегральній техніці.

вміти: — грамотно використовувати сучасну дискретну і інтегральну напівпровідникову елементну базу у схемах різного призначення;

— застосовувати методи аналізу аналогових і цифрових пристроїв;

— здійснювати проектування схемотехніки аналогових і цифрових пристроїв, що розробляються, з урахуванням можливості їх реалізації по інтегральній технології; виконувати розрахунки, пов’язані з вибором параметрів і режимів роботи  пристроїв;

— пояснювати процеси в напівпровідникових приладах, що впливають на особливості їх схемотехнічного застосування;

— правильно вибирати напівпровідниковій прилад, виходячи з умов експлуатації;

— практично використовувати характеристики електронних приладів, у тому числі вибирати режими їх роботи на постійному струмі, визначати статичні параметри графоаналітичним методом, провадити побудову навантажувальних прямих та динамічних характеристик.

 

  1. 3.     Програма навчальної дисципліни

 

Модуль 1. Дискретні елементи.

Ввідна лекція. Завдання курсу, його основні положення і місце дисципліни в підготовці фахівців.

Тема 1. Напівпровідникові діоди. Випрямляючі діоди. Призначення, маркування, класифікація, основні параметри. ВАХ, порівняння Ge-, Si-, GaAs-діодів. Випрямляючі стовпи, зборки, блоки. Поняття навантажувальній прямій, випрямляючий та детекторний ефекти. Опорні діоди. Призначення, класифікація, система маркування, схемотехнічне позначення. Основні параметри та ВАХ, особливості стабілітронів і стабісторів, двоанодних, прецизійних, імпульсних діодів. Простіша схема параметричного стабілізатора напруги. Приклади схем обмежувачів напруги. Діоди Шотки, імпульсні діоди та діоди з накопиченням заряду. Електричний перехід Шотки, фізичні процеси, ВАХ. Особливості діодів, функціональне застосування. Параметри та особливості імпульсних діодів, типи, маркування, імпульсні

зборки. Причини, що обмежують швидкодію діодів. Особливості перехідних процесів при перемиканні p/n-переходу, епюри струмів і напруг. Діоди з накопиченням заряду (ДНЗ), ефекти накопичення та розсмоктування, накопичення зарядів в базі за допомогою гальмуючого поля. Параметри і особливості ДНЗ, застосування як формувача імпульсів.

Варикапи. Призначення, класифікація, маркування, схемотехнічне позначення. Вольт-фарадна характеристика, обгрунтування, робоча ділянка, основні параметри діода. Еквівалентна схема, добротність варикапа. Приклади застосування у підстроюванні коливального кола, інші практичні застосування керованої ємності. Множення частоти, варакторні діоди. Призначення, маркування, схемотехнічне позначення тунельних діодів.

Особливості реалізації тунельного ефекту, ВАХ діодів, обгрунтування, основні параметри. Режими тунельного діоду: підсилення, генерування, перемикання та умови їх реалізації.

Особливості та застосування обернених діодів. Високочастотні діоди та діоди НВЧ-діапазону. Функціональне призначення діодів у залежності від виду нелінійного перетворення. Класифікація, маркування, еквівалентна схема. Технологічні та конструктивні особливості ВЧ -діодів. Додаткові специфічні параметри ВЧ-діодів.

Р-і-n-діоди, структура, фізичні процеси. Особливості роботи у режимах перемикання та резистивного діода, що регулюється. Основні параметри. Підсилювальні і генераторні діоди НВЧ-діапазону. Принцип параметричного підсилення. Параметричний діод, особливості. Тунельні діоди, режими підсилення, генерування. ВАХ, основні параметри. Активні діоди НВЧ-діапазону, ефект від’ємного динамічного навантаження. Лавинно-пролітний діод, структура, принцип дії (обгрунтування активної властивості), режими роботи, основні параметри. Діод Ганна (ТЕД-діод), обгрунтування активної властивості, ВАХ. Режими роботи: пролітний та обмеженого накопичення об’ємного заряду, умови реалізації режимів. Особливості діодів, основні параметри.

Тема 2. Транзистори. Біполярні транзистори. Класифікація БТ, схемотехнічне позначення, система маркування, структура БТ, технологічні вимоги, режими роботи за станом p/n-переходів, обґрунтування активної властивості. Фізичні процеси у структурі БТ, взаємодія двох p/n-переходів. Колекторний струм як наслідок інжекції, дифузії, екстракції та рекомбінації зарядів. Струмовий принцип керування . Схема вмикання із спільною базою, спільним колектором, спільним емітером (ССБ, ССК, ССЕ), принцип вибору полярності джерел зміщення у режимах: активному, насичення та відсічки. Струми у БТ, коефіцієнти передачі струму, складові струмів, крізний струм. Вхідні та вихідні статичні ВАХ у схемах зі спільним емітером та спільною базою, обґрунтування, зона активної роботи, насичення та відсічки. Динамічний режим роботи БТ. Транзистор як активний та перемикаючий елемент схем. Схема із спільним емітером у динамічному режимі, навантажувальна пряма, режим транзистора у постійному струмі (робоча точка). Перехідна динамічна характеристика, обґрунтування, зони режимів. Нелінійні потворення сигналу, графіки струмів та напруг у ССЕ, інверсія фази сигналу. БТ як лінійний чотириполюсник, принцип лінеаризації ВАХ транзистора, система h-параметрів, методика визначення, лінійна модель БТ. Дорівнюючий аналіз h-параметрів у різних схемах вмикання. Особливості роботи БТ у режимі великого сигналу. Параметри БТ та схемотехнічні особливості його застосування. Основні параметри БТ: граничнодопустимі, статичні, динамічні. Частотні властивості БТ, причини інерційності та їх виявлення. Параметри, що визначають частотні властивості, взаємозв’язок частотних параметрів. Складені транзистори (схеми Дарлінгтона, Шіклаї), поняття комплементарної пари, двотактний комплементарний повторювач напруги.

Польові транзистори. Польові транзистори, класифікація, особливості, структура. Сутність польового принципу керування. ПТ з керуючим p/n-переходом, структура, схемотехнічне позначення. Фізичні процеси в структурі у режимах провідності та насичення. Принцип вибору полярності джерел живлення. Статичні стокові та стоко-затворні ВАХ, зони основних режимів роботи, параметри крутості і вихідного динамічного опору. Динамічний режим, навантажувальна пряма, вибір робочої точки. Витіковий повторювач. Польові транзистори з ізольованим затвором (МОН-структури) та з переходом Шотки (МЕН-транзистор). МОН-транзистори з вбудованим та індукованим каналом як реалізація нормально відкритого та нормально закритого транзисторів. Структура, принцип керування, схемотехнічне позначення, режими роботи. Принцип вибору полярності джерел живлення, ВАХ. МЕН-транзистор, структура, особливості. Нормально відкритий та нормально закритий варіанти транзистора, стоко-затворні ВАХ. Основні параметри, особливості. Схема інвертора. ГМЕН-транзистор, структура, особливості, ВАХ. Основні параметри польових транзисторів. ПТ як активний та ключовий елемент схем, транзистор у режимі керованого резистора ПТ як нелінійне навантаження, КМОН-транзистори, приклади застосування у схемах інверторів. Потужні НВЧ-транзистори, що виконуються на базі технології VDMOS та LDMOS. МДН-структури як елементи пам’яті. МНОН-структури з двошаровим діелектриком (метал — нітрид кремнію — окис кремнію – напівпровідник), структура, фізичні процеси у режимах запису та стирання інформації, стокозатворні ВАХ, основні параметри. МОН-структура з рухомим затвором та лавинною інжекцією. Модифікований варіант структури з додатковим керуючим затвором.

Тема 3. Перемикачі струму транзисторного типу. Тиристор як струмовий ключ, класифікація, маркування, схемотехнічне позначення. Структура диністора. Фізичні процеси відкритого та закритого стану диністора, взаємодія трьох p/n-переходів під впливом позитивного зворотного зв‘язку при перемиканні приладу, струмові співвідношення відкритого та закритого диністору. ВАХ диністора, обгрунтування, основні параметри, навантажувальна пряма та перемикання приладу. Двотранзисторна модель тиристора. Способи вимикання тиристору. Керовані тиристори, класифікація. Пускова характеристика. Схеми керування за анодом та катодом. Фазовий принцип керування. Застосування у схемах керування потужністю, релаксаційних генераторах, ключових схемах. Симетричний тиристор, тиристор-діод. Одноперехідний транзистор (двобазовий діод), схемотехнічне позначення, структура, ВАХ, застосування як порогового елементу в схемах комутації тиристорів.

Тема 4. Оптоелектронні напівпровідникові прилади. Класифікація та загальна характеристика оптоелектронних приладів, фотометричні параметри. Інжекційні світлодіоди (СІД) та інфрачервоні діоди (ІЧ), маркування, схемотехнічне позначення. Явище інжекційної електролюмінісценції, умови випромінюючої рекомбінації, напівпровідникові матеріали. Основні характеристики та параметри СІД та ІЧ-діодів, відмітні особливості діодів, практичні рекомендації та приклади застосування. Інжекційні напівпровідникові лазери як джерела когерентного випромінювання, умови реалізації, особливості. Фоторезистори, маркування, схемотехнічне позначення. Фоторезистивний ефект, власна та домішкова фотопровідність. Основні характеристики та параметри фоторезисторів. Фотодіоди, маркування, позначення, матеріали, що використовуються. Принцип дії, фотодіодний та фотогальванічний режими роботи, схеми вмикання, ВАХ. Основні характеристики та параметри. Фотодіоди підвищеної швидкодії: на p-i-n-структурі, Шотки, із гетеропереходом, лавинні фотодіоди, особливості, порівнювальна характеристика, основні параметри. Оптичні пристрої відображення інформації. Класифікація, загальна характеристика, маркування знакосинтезуючих індикаторів. Пасивні індикатори: рідиннокристалічні, електрохромні, електрофоретичні. Фізичні принципи, експлуатаційні особливості, параметри, сегментні та матричні індикатори. Активні індикатори: електролюмінісцентні, знакосинтезуючі, лінійні шкали. Класифікація, принцип дії та керування.

Тема 5. Прилади спеціального призначення. Напівпровідникові прилади з зарядовим зв’язком (ПЗЗ). Структура та фізичні процеси у ПЗЗ. Основні динамічні параметри. Різновиди приладів: двотактні, з рядом прихованих затворів, на ланцюжках МДН-транзисторів, поверхнево зарядовий транзистор. Напівпровідникові гальваномагнітні прилади. Перетворювач Хола як гальваномагнітний прилад. Ефект Холу та магніторезистивний ефект як фізична основа перетворювачів. Технологічні структури, основні параметри, властивості, застосування. Магнітодіоди, магнітотранзистори, особливості, ВАХ. Напівпровідникові структури як давачі температури. Фізичні основи застосування діодів, біполярних та польових транзисторів, тиристорів як давачів температури. Напівпровідникові тензодавачі. Вплив деформації на електричні параметри напівпровідників. Порівняльна характеристика тензодіодів на базі p-n-переходу та переходу Шотки. Перспективні напрямки розвитку напівпровідникової електроніки. Діоди на основі напівпровідникових алмазів. Джосефсоновські електричні переходи на надпровідниках. Акустоелектронні прилади на поверхневих хвилях. Перемикачі на базі аморфних напівпровідниках.

         Модуль 2. Інтегральні елементи.

Тема 6.  Аналогові ІМС. Операційні підсилювачі. Загальні відомості і класифікація. Порівнювальні характеристики. Вимірювальні інтегральні підсилювачі.  Підсилювачі, що програмуються. Аналогові компаратори напруги. Комутатори аналогових сигналів. Інтегральні таймери.

Тема 7. Цифрові ІМС. Загальні відомості про цифрові ІМС. ТТЛ і ТТЛШ мікросхеми. КМОН мікросхеми. ЕСЛ мікросхеми. Термінологія та позначення параметрів. Статичні і динамічні параметри. Базові вентилі. Мікросхеми цифрових логічних елементів. Тригери. Лічильники імпульсів і реєстратори. Перетворювачі кодів, шифратори, дешифратори. Мікросхеми, виконуючи  арифметичні дії. Мікросхеми цифрових запам’ятовуючих пристроїв.

Тема 8. Мікросхеми ЦАП і АЦП. Мікросхеми вибірки – зберігання. Мікросхеми ЦАП і АЦП. Визначення і приклади використання ЦАП і АЦП. ЦАП з підсумовуванням струмів (із зваженими резисторами). ЦАП з матрицею R — 2R. Алгоритм роботи і структурна схема АЦП диференціального кодування (прямого підрахунку). Алгоритм роботи і структурна схема АЦП  послідовного наближення. АЦП методом перетворення А — Т — код (амплітуда — інтервал часу — код). Алгоритм роботи і структурна схема АЦП  подвійного інтегрування. Алгоритм роботи і структурна схема АЦП  з перетворенням напруги в частоту імпульсів.

Тема 9. Понадвеликі інтегральні мікросхеми. Мікропроцесори, мікро контролери та мікроконвертори. Логічні матриці, що програмуються ПЛМ і ПМЛ. ПЛІС. Сигнальні процесори.  Інтелектуальні датчики і системі на кристалі.

  1. 4.     Структура навчальної дисципліни

 

Назви модулів і тем

Кількість годин

Денна форма

Заочна форма

Усього

у тому числі

Усього

у тому числі

л

п

лаб

інд

ср

л

п

лаб

інд

ср

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

Модуль 1. Дискретні елементи

Тема 1.

9

2 2 5
Тема 2.

9

2 2 5
Тема 3.

9

2 2 5
Тема 4.

9

2 2 5
Тема 5.

9

2 2 5
Разом за модулем 1

45

10 10 25

Модуль 2. Інтегральні елементи

Тема 6.

9

2 2 5
Тема 7.

9

2 2 5
Тема 8.

9

2 2 5
Тема 9.

9

2 2 5
Разом за модулем 2

36

8 8 20

Усього годин

81

18 18 45

 

5. Теми практичних  занять

 

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

Т7

Аналогові і цифрові мікросхеми в біомедичній апаратурі.

2

2

Т8

Інтелектуальні датчики і системі на кристалі в біомедичних вимірюваннях.

2

3

Т9

Приклади використання ЦАП і АЦП в біомедичних вимірюваннях.

4

4

Т10

Мікроконтролери та мікроконвертори. Застосування в біомедичних вимірюваннях.

4

5

Т11

Комп’ютерні системи крізного проектування OrCad i PCad

6

Разом

18

 

 

 

 

6. Самостійна  робота

 

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

Підготовка до практичних занять

6

2

Повторення матеріалу з ІС аналогової електроніки

5

3

Повторення матеріалу з ІС цифрової електроніки

5

4

Підготовка до контрольних робіт

4

5

Вивчення комп’ютерних систем крізного проектування OrCad i P-Cad

15

Разом

45

 

7. Індивідуальне навчально — дослідне завдання

Немає.

 

8. Методи навчання

 

Лекційні заняття, практичні заняття,  самостійна робота.

9. Методи контролю

 

Поточний контроль – контрольна робота (модулі 1 і 2).  Підсумковий семестровий контроль – Залік  – письмово.

 

 

 

 

10. Розподіл балів, які отримують студенти

Приклад для залику

Поточне тестування та самостійна робота

Підсумковий cеместровий контроль (залік)

Сума

           Модуль 1 Модуль 2

40

100

Т1

Т2

Т3

Т4

Т5

Т6

Т7

Т8

Т9

6

6

6

6

6

5

5

10

10

Т1, Т2 … Т9 – теми модулів

Модуль 1, теми 1…6 – контрольна робота 1, максимальна оцінка – 30 балів. Модуль 2, теми 6…9 – контрольна робота 2, максимальна оцінка – 30 балів. Мінімальна кількість балів по кожному модулю для зарахування — 5 балів.

Мінімальна кількість балів для допуску студента до підсумкового семестрового контролю 10 балів.

 

Шкала оцінювання

 

Сума балів за всі види навчальної діяльності протягом семестру

Оцінка ECTS

Оцінка за національною шкалою

для екзамену, курсової роботи (проекту), практики

для заліку

90 – 100

А

відмінно

зараховано

80-89

В

добре

70-79

С

60-69

D

задовільно

50-59

Е

1-49

FX

незадовільно

не зараховано

 

11. Методичне забезпечення

1. PCAD 2000 — система автоматизованого проектування електроніки.

2. OrCAD 9.2 — система автоматизованого проектування електроніки.

3. PROTEUS VSM. Система виртуального моделирования схем.

 

12. Рекомендована література

 

Базова

  1. Шмаков С. Б. Энциклопедия радиолюбителя. Современная элементная база. Наука и техника. 2012.
  2. Григорьев Б.И. Элементная база и устройства аналоговой электроники. Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО. 2008. 94 с.
  3. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. Учебное по-собие для ВУЗов. – М.: «Радио и связь». 1990, – 496 с.
  4. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника. Уч. пособие. – СП.: БХВ Петербург, 2001.–528 с.
  5.  Бабич М.П., Жуков І.А. Комп’ютерна схемотехніка. Навч. посібник. – К.: НАУ, 2002. – 508 с.
  6. Полупроводниковые приборы: Учебник для ВУЗов/Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Под.ред. Лабунцова В.А. — Энергоатомиздат, 1990.
  7. Электронные приборы: Учебник для ВУЗов/Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. и др. Под.ред. Шишкина Г.Г. — Энергоатомиздат, 1989.
  8. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. -М.: Горячая Линия — Телеком, 2000.

 

Допоміжна

1. ДСТУ 3212-95. Мікросхеми інтегровані. Класифікація та система умовних позначень.

2. ДСТУ 2399-94. Системи обробки інформації. Логічні пристрої, схеми, сигнали. Терміни та визначення.

3. ДСТУ 2383-94. Мікросхеми інтегровані. Терміни, визначення та літерні позначення електричних параметрів.

4. ДСТУ 2533-94. Системи обробки інформації. Арифметичні та логічні операції. Терміни та визначення.

5. ГОСТ 2.708-81. ЕСКД. Правила выполнения электрических схем цифровой вычислительной техники.

6. ГОСТ 2.7043-91. ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Элементы цифровой техники.

7. Цифровые интегральные микросхемы: справочник «П.П. Мальцев, Н.С. Долидзе и др. – Радио и связь, 1994. – 240с.»

8. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика п/п приборов.-Радио и связь, 1990.

 

13. Інформаційні ресурси

 

1. www.electroclub.info/article/comp_modeling.htm

2. http://mirknig.com/knigi/apparatura/1181513089-enciklopediya-radiolyubitelya-sovremennaya-elementnaya-baza.html

Популярность: 32%

Рубрика: Рабочие программы, Учебный процесс ·  



Оставить комментарий или два

Пожалуйста, зарегистрируйтесь для комментирования.