Квантово-розмірні ефекти в твердотілих надвисокочастотних приладах

Автор: · Дата: 11 Декабрь 2012 · Пока нет комментариев

Міністерство освіти і науки України

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна

Кафедра фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій

 “ЗАТВЕРДЖУЮ

Перший проректор

Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна

проф. Александров  В. В.

      __________________________

“______”_______________2012 р.

 

РОБОЧА ПРОГРАМА НАВЧАЛЬНОЇ ДИСЦИПЛІНИ

 

  Квантово-розмірні ефекти в твердотілих надвисокочастотних приладах

(шифр і назва навчальної дисципліни)

напряму підготовки_____________6.040204–  прикладна  фізика______________

(шифр і назва напряму підготовки)

для спеціальності ________________7.04020402  Радіофізика і електроніка ____

(шифр і назва спеціальності (тей)

спеціалізації_____________________________________________________________

(назва спеціалізації)

факультету _____________________радіофізичного______________________

 (назва факультету)

 

Кредитно-модульна система

організації навчального процесу

 

Харків – 2012

 

 Робоча програма навчальної дисципліни для студентів

“Квантово-розмірні ефекти в твердотілих надвисокочастотних приладах”

за напрямом підготовки 6.040204– прикладна фізика, спеціальністю 7.04020402   радіофізика  і електроніка „___” ________, 2012.  __ с.

 

 

Розробники:

доктор физ-мат наук, профессор Прохоров Э.Д., профессор кафедры физической и биомедицинской электроники и КИТ

 

Робоча програма затверджена на засіданні кафедри _________

_______________________________________________________________________________

 

Протокол № ___ від.  “____”________________2012__ р.

 

Завідувач кафедрою ________________________

 

_______________________ (_В.А.Катрич__)

(підпис)                                                   (прізвище та ініціали)

“_____”___________________ 2012___ р

 

Схвалено методичною комісією

_______________________________________________________________

Протокол № ___ від.  “____”________________2012___ р.

 

“_____”________________2012__ р. Голова     _______________(  __Черногор Л.Ф.)

(підпис)                                   (прізвище та ініціали)

 

1.     Опис навчальної дисципліни

 

Найменування показників

Галузь знань, напрям підготовки, освітньо-кваліфікаційний рівень

Характеристика навчальної дисципліни

денна форма навчання

заочна форма навчання

Кількість кредитів  3

Галузь знань

0402 фізико-математические науки

(шифр і назва)

Нормативна

(за вибором)

 

Напрям підготовки

8.04020402 (магистр) радиофизика и электроника

 (шифр і назва)

Модулів –2 Спеціальність (професійне

спрямування):8.04020402

радиофизика и электроника

 

Рік підготовки:

2013-й

Індивідуальне науково-дослідне завдання ___________

 

(назва)

Семестр

Загальна кількість годин — 108

10-й

Лекції

Тижневих годин для денної форми навчання:

 

аудиторних – 4

самостійної роботи студента — 3

Освітньо-кваліфікаційний рівень:

магістр

16 год.

 год.

Практичні, семінарські

-год.

 год.

Лабораторні

-год.

 год.

Самостійна робота

16 год.

 год.

ІНДЗ:      год.

Вид контролю: экзамен

 

 

Примітка.

Співвідношення кількості годин аудиторних занять до самостійної і індивідуальної роботи становить:

для денної форми навчання – 1/1

для заочної форми навчання —

 

  1. 2.     Мета та завдання навчальної дисципліни

Мета: вивчення фізичних принципів  дії сучасних твердотілих приладів;

Завдання дати необхідний об’єм відомостей  про фізичні явища та принципи, що лежать в основі роботи твердотілих  приладів, їх характеристики та застосування

У результаті вивчення даного курсу студент повинен

знати:  принципи роботи сучасних  твердотілих приладів, їх параметри та характеристики та фізичні процеси, що протікають в них;

вміти: орієнтуватися в сучасній елементній базі електроніки та уміло використовувати все  різноманіття  твердотілих приладів  для  застосувань різного призначення.

  1. 3.     Програма навчальної дисципліни

 

Модуль 1.

Резонансное туннелирование и приборы на его основе

1. Энергетический спектр электрона в квантовой яме

2. Коэффициент прозрачности (прохождения ) барьера

3. Интерференционные эффекты при  пролете электронов над барьером и квантовой ямой

4. Резонансное туннелирование электронов через ДБКС

5. Вольтамперные характеристики (ВАХ) и отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) структур с двухмерной (2D) квантовой ямой. Резонансно-туннельный диод (РТД)

6. ВАХ и ОДП структур с одномерной (1D) квантовой ямой и квантовой ямой нулевой (0D) размерности

7. Резонансное туннелирование через систему барьеров

8. Влияние параметров ДБКС на характеристики переноса

9. Транзисторы с резонансным туннелированием

9.1. Резонансно-туннельный транзистор на горячих электронах       Биполярный транзистор с резонансным туннелированием

9.3. Полевые транзисторы с резонансным туннелированием

9.4. Штарк эффект транзисторы

9.5. Транзисторы с параллельными квантовыми ямами – каналами

9.6. Транзистор с интерференцией электронных волн

9.7. Многофункциональность структур с резонансным

туннелированием

 

 

 

МОДУЛЬ 2

Сверхрешетки и приборы на их основе

1. Энергетический спектр сверхрешеток

2. Подбарьерные и надбарьерные мини-зоны

3. Типы сверхрешеток

4. Статистика носителей заряда в сверхрешетках

5. Электрические свойства сверхрешеток

6. Высокочастотные свойства сверхрешеток

7. Оптические свойства сверхрешеток

8. Твердотельные приборы на сверхрешетках

8.1. Генераторы электромагнитных колебаний

8.2. Генераторы гармоник и смесители

8.3. Приборы с неоднородным уровнем легирования

8.4. Приборы, основанные на двумерности электронного газа в СР

8.5. Лазеры ИК диапазона.

8.6. Структуры с высокой подвижностью электронов

8.7. Оптоэлектронные приборы на основе сверхрешеток

8.8. Запоминающие устройства

9. Методы создания квантово-размерных структур и сверхрешеток

 

 

Структура навчальної дисципліни

Назви модулів і тем

Кількість годин

Денна форма

Заочна форма

Усього

у тому числі

Усього

у тому числі

л

п

лаб

інд

ср

л

п

лаб

інд

ср

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

Модуль 1

Тема 1. 12 8 3
Разом за модулем 1 12 8 3

 

Модуль 2

Тема 2 12 8 3

Усього годин

12 8 3

 

 

5. Теми семінарських занять

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

Не  передбачено

2

6. Теми практичних  занять

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

Не  передбачено

2

 

 

 

7. Теми лабораторних  занять

зміст. модулю

Теми занять

обсяг, год.

1.

Не  передбачено

 

 

8. Самостійна  робота

 

з/п

Назва теми

Кількість

годин

1

Підготовка до модульної контроольної роботи (модуль 1)

3

2

Підготовка до модульної контроольної роботи (модуль 1)

3

3

Підготовка до здачі екзамену 

10

Разом

16

 

 

9. Індивідуальне навчаьно — дослідне завдання

10. Методи навчання

Прослуховування лекцій

 

11. Методи контролю

Контрольні  модульні работи

 

 

 

12. Розподіл балів, які отримують студенти

 

Поточне тестування та самостійна робота

Підсумковий cеместровий контроль (екзамен)

Сума

Модуль 1

Модуль 2

40

100

(50)

Т1

Т2

12-24

Модульна К/Р

18-36

Модульна К/Р

Т1, Т2 – теми модулів

 

 

Шкала оцінювання

 

Сума балів за всі види навчальної діяльності протягом семестру

Оцінка ECTS

Оцінка за національною шкалою

для екзамену, курсової роботи (проекту), практики

для заліку

90 – 100

А

відмінно

зараховано

80-89

В

добре

70-79

С

60-69

D

задовільно

50-59

Е

1-49

FX

незадовільно

не зараховано

 

 

 

                                     13. Методичне забезпечення

1. Прохоров Э.Д. Квантово-размерные эффекты в твердотельных сверхвысокочастотных приборах.-Х.: ХНУ имени В.Н.Каразина, 2005.-220 с.

2. Прохоров Е.Д. Твёрдотіла електроніка: навчальний посібник.-Х.: ХНУ імені В.Н.Каразіна, 2007.-544 с.

14. Рекомендована література

Базова

1. Долманов И. Н., Толстихин В. И., Еленский В. Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием электронов. – М.: Зарубежная радиоэлектроника, 1990, № 7. – 66-89 с.

2. Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гритчин В. А. Основы наноэлектроники, уч. пособ. – Новосибирск.: изд. НГТУ, 2000. – 332с

3. Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. Электронные процессы в твердотельных системах с пониженной размерностью. – Новосибирск.: изд. НГТУ,  2002. – 448с.

4. Бузанева Е. В. Микроструктуры интегральной электроники. – Г.: Радио и связь, 1990. – 304 с.

5. Луцкий В. Н., Пинскер Т. Н. Размерное квантование, – М.: изд. Знание, 1983. – 64с.

6. Лихарев К. К., Класон Т. Одноэлектроника. – М.: В мире науки, 1992, №8.

7. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. – М.: Мир, 1989. – 240 с.

 

Допоміжна

8. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. — М.: Мир, 1973.

9. Голубев Л.В., Леонов Е.И. Сверхрешётки. – М.: Знание, 1977.

 

 

15. Інформаційні ресурси

  1. http://scholar.google.com.ua/

 

Популярность: 16%

Рубрика: Рабочие программы, Учебный процесс ·  



Оставить комментарий или два

Пожалуйста, зарегистрируйтесь для комментирования.