Зозуля Валерій Олександрович
 |
Зозуля Валерій Олександрович
доктор філософії за спеціальністю 105 – прикладна фізика та наноматеріали. Область наукових інтересів: – фізика напівпровідників |
У 2012 році після закінчення середньої школи вступив на факультет радiофiзики, бiомедичної eлектронiки та комп’ютерних систем у Харківському національному університеті імені В.Н. Каразіна. У 2016 році з відзнакою закінчив бакалаврат за освітньою програмою «Мікро- та наноелектроніка», а у 2018 році, також з відзнакою, закінчив магістратуру за освітньою програмою «Фізична та біомедична електроніка». У тому ж 2018 році вступив до аспірантури Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна. У 2024 році захистив дисертацію на здобуття ступеня доктора філософії за спеціальністю 105 «Прикладна фізика та наноматеріали» за темою: «Активні напівпровідникові планарні елементи субміліметрового та терагерцового діапазонів».
З 2016 року зарахований на посаду молодшого наукового співробітника факультету радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем. З 2019 зарахований на посаду інженер 1-кат. факультету радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем. З 2022 року зарахований на посаду наукового співробітника факультету радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем. Також с 2022 року – старший викладач закладу вищої освіти.
Дисципліни: функціональна електроніка
Публікації:
• Self–Heating Effect in Planar GaN Diode with 2D- h-BN – Layer / V. O. Zozulia et al. // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2024. Vol. 16, no. 6. P. 06034–1–06034–5. URL: https://doi.org/10.21272/jnep.16(6).06034
• Zozulia V., Botsula O., Prykhodko K. A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY // Radio physics and radio astronomy. 2024. Vol. 29, no. 4. P. 317–326. URL: https://doi.org/10.15407/rpra29.04.317
• Impact of Temperature on Graded Gap InGaN-based Diode Characteristics / K. Prykhodko et al. 2024 IEEE 17th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET), Lviv, Ukraine, 8–12 October 2024. 2024. P. 01–04. URL: https://doi.org/10.1109/tcset64720.2024.10755943
• Зозуля В.О., Боцула О.В., Приходько К.Г. Вплив легування на ефективність роботи GaAs – діодів з бічною границею на основі варізонного GaInAs // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка». 2023. № 39. C. 27-35.
• Botsula O. V., Zozulia V. O., Prykhodko K. H. Planar n+-n-n+ Diode with Active Side Boundary on InP Substrate // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2023. Vol. 15, no. 1. P. 01011–1–01011–4. URL: https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01011
• Botsula O., Prykhodko K., Zozulia V. Modeling of Planar 2D/3D Semiconductor Heterostructures Based on MoS2/GaN Junction // 2022 IEEE 2nd Ukrainian Microwave Week (UkrMW), Ukraine, 14–18 November 2022. 2022. URL: https://doi.org/10.1109/ukrmw58013.2022.10037030
• Botsula O., Prykhodko K., Zozulia V. Impact Ionization in Graded Gap Transferred Electron Diode // 2021 IEEE 3rd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON), Lviv, Ukraine, 26–28 August 2021. 2021. URL: https://doi.org/10.1109/ukrcon53503.2021.9575748
• Приходько К.Г., Боцула О.В., Зозуля В.О. Особливості розвитку ударної іонізації в напівпровідникових сполуках InGaN та InAlN // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка». 2021. № 34. C. 19-28. URL: https://doi.org/10.26565/2311-0872-2021-34-03
• Botsula O. V., Prykhodko K. H., Zozulia V. A. InGaAs-based graded gap active elements with static cathode domain for terahertz range // Journal of nano- and electronic physics. 2019. Vol. 11, no. 1. P. 01006–1–01006–5. URL: https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01006
• Botsula O. V., Zozulia V. O. Generation of THz oscillations by diodes with resonant tunneling boundaries // Journal of nano- and electronic physics. 2020. Vol. 12, no. 6. P. 06037–1–06037–4. URL: https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06037
• Botsula O. V., Zozulia V. O. Energy and Frequency Properties of Planar n+-n-n+ Diodes with Active Side Boundary // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2021. Vol. 13, no. 6. P. 06028–1–06028–4. URL: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06028
• Botsula O. V., Zozulia V. O., Prykhodko K. H. Planar n+-n-n+ diode with active side boundary on InP substrate // Journal of nano- and electronic physics. 2023. Vol. 15, no. 1. P. 01011–1–01011–4. URL: https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01011
• Graded band InGaN – based diode as element of active noise load in terahertz range / K. Prykhodko et al. // 2022 IEEE 3rd KhPI Week on Advanced Technology (KhPIWeek), Kharkiv, Ukraine, 3–7 October 2022. 2022. URL: https://doi.org/10.1109/khpiweek57572.2022.9916405
• Planar GaAs-InGaAs Heterostructure for Generation in Long Wave Part of Terahertz Range / V. Zozulia et al. // 2022 IEEE 3rd KhPI Week on Advanced Technology (KhPIWeek), Kharkiv, Ukraine, 3–7 October 2022. 2022. URL: https://doi.org/10.1109/khpiweek57572.2022.9916337
• Botsula O., Prykhodko K., Zozulia V. Impact Ionization in Graded Gap Transferred Electron Diode. 2021 IEEE 3rd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON), Lviv, Ukraine, 26–28 August 2021. 2021. URL: https://doi.org/10.1109/ukrcon53503.2021.9575748
• Botsula O. V., Zozulia V. O. Operation Principle and Simulation of Planar Diode with Tunnel n-p-n Border. 2020 IEEE Microwave Theory and Techniques in Wireless Communications (MTTW), Riga, Latvia, 1–2 October 2020. 2020. URL: https://doi.org/10.1109/mttw51045.
• Botsula O. V., Prykhodko K. H., Zozulia V. O. Diodes with Lateral n+-n -Border. 2019 IEEE 2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON), Lviv, Ukraine, 2–6 July 2019. 2019. URL: https://doi.org/10.1109/ukrcon.2019.887988420.9245041
• Botsula O. V., Prykhodko K. H., Zozulia V. O. Monte Carlo Modeling of the Diodes with Lateral Resonant Tunneling Border // 2018 9th International Conference on Ultrawideband and Ultrashort Impulse Signals (UWBUSIS), Odessa, 4–7 September 2018. 2018. URL: https://doi.org/10.1109/uwbusis.2018.8520067
• Prykhodko K. H., Zozulia V. O., Botsula O. V. Graded band gap InGaAs diodes for terahertz applications // 2017 IEEE International Young Scientists’ Forum on Applied Physics and Engineering (YSF), Lviv, 17–20 October 2017. 2017. URL: https://doi.org/10.1109/ysf.2017.8126637
Патенти на корисну модель:
• Боцула О. В., Зозуля В. О. (2022). Планарний діод для генерації в терагерцовому діапазоні (Патент України на корисну модель, № 150188), Національний Орган Інтелектуальної Власності Державне Підприємство “Український Інститут Інтелектуальної Власності”. https://sis.ukrpatent.org/uk/search/detail/1673142/
• Боцула О. В., Зозуля В. О. (2022). Планарний діодний активний елемент для широкосмугової генерації в довгохвильовій частині терагерцового діапазону (Патент України на корисну модель, № 151652), Національний Орган Інтелектуальної Власності Державне Підприємство “Український Інститут Інтелектуальної Власності”. https://sis.ukrpatent.org/uk/search/detail/1703072/