Боцула Олег Вікторович

Автор: · Дата: 28 Май 2021 · Пока нет комментариев

 

  Боцула Олег Вікторович

кандидат фізико – математичних наук, старший науковий співробітник

Основні напрямки наукових інтересів: фізика напівпровідників, наноелектроніка, твердотільні прилади мм-і субмм-діапазонів.

 

У 1989 році після закінчення середньої школи вступив на радіофізичний факультет Харківського державного університету ім. А.М. Горького. Захоплення радіоелектронікою визначають подальший вибір спеціалізації – напівпровідникова і вакуумна електроніка. У 1993 році закінчив Харківський держуніверситет і вступив до аспірантури Харківського державного університету.
З 1993 року зарахований на посаду молодшого наукового співробітника кафедри напівпровідникової і вакуумної електроніки. Працював науковим співробітником, старшим науковим співробітником (з 2005 р). З 2007 року – старший науковий співробітник кафедри фізичної та біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій.
У 2008 році захистив кандидатську дисертацію «Нестійкості струму в GaAs з ударною іонізацією та тунелюванням».

Читає курси з фізико-технологічних основ мікроелектроніки і наноелектроніки. Керує виконанням бакалаврських і магістерських робіт, переддипломної практики студентів старших курсів.
Наукові результати опубліковані в більш ніж в 60 наукових роботах і тезах доповідей в матеріалах міжнародних і вітчизняних симпозіумів та конференцій, 1 патенті.

Основні наукові публікації:

1. Tunnel n+-D-n+ chatode for Gunn diodes / Botsula O. V., Prokhorov E. D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2002. – V. 58. – № 7–8. – P. 107–114.
2. Special features of o joint operation of the resonant-tunnel diode and Gunn diode / Prokhorov E. D, Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2002. –V. 58. – № 7–8. – P. 99–106.
3. Joint operation of two-level resonant tunneling and Gunn diodes / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. – 2003. – V. 60. – № 5-6. – P. 140–147.
4. Impedance characteristics of diodes oherationsjointly and having negative differential conductivy / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. – 2004. – V. 61. – № 6. – P. 529–542.
5. Two level resonant-tunneling diodes with tunneling anodes / Prokhorov E. D, Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engenееring . – 2005. – V. 63. – № 10. – P. 140–147.
6. Resonant-Tunneling Cathode for a Gunn Diode / Botsula O. V., Storozhenko I. Р., Prokhorov E. D. // Telecommunication and Radio Engenееring. – 2009. – V. 68. – Iss 15. – P. 385–398.
7. Negative differential conductivity of a tunnel side-bondary semiconductor device / Prokhorov E. D., Botsula O. V. // Telecommunication and Radio Engineering. –2011. – V. 70. – Iss 9. – P. 809–818.

Рубрика: Співробітники ·  

Комментирование закрыто.